收藏本站
Si7440DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
I D = 250 μA
200
160
-0.0
-0.2
120
-0.4
80
-0.6
-0.8
40
-1.0
-50
-25
0
25 50 75 100
T J - Temperature ( ° C)
125
150
0
0.001
0.01
0.1
Time (s)
1
10
Threshold Voltage
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 1
0.02
Single Pulse
t 2
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 68 ° C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.02
Single Pulse
0.05
0.01
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?71623 .
www.vishay.com
4
Document Number: 71623
S09-0270-Rev. D, 16-Feb-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI7447ADP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
SI7454CDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
SI7455DP-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 80V PPAK 8SOIC
SI7456DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
SI7457DP-T1-GE3 MOSFET P-CH D-S 100V PPAK 8SOIC
SI7460DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
SI7461DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK 8SOIC
SI7462DP-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI7444DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 40V 23.6A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7444DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7445DP 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI7445DP-T1 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7445DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7445DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7445DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7446BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 19A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube